Rate determining step 速率決定步驟
熱力學控制:一般在較高之反應溫度下,鍍膜速率與反應物輸入反應器之速率有正比的關係,此時之沉積速率由反應溫度所控制。
表面動力學控制:反應速率受氣體分子在鍍層表面的吸附、擴散化學反應與脫附,通常低溫低壓下的化學氣相沉積系統中之操作乃屬於此種之控制機構。
質量傳送控制:通常於表面反應速率而質傳困難之狀態下發生,於高溫高壓時有可能為此種控制機構。
成核控制:當過飽和度太低,成核不易發生,此時沉積速率乃為此所控制。
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熱力學控制:一般在較高之反應溫度下,鍍膜速率與反應物輸入反應器之速率有正比的關係,此時之沉積速率由反應溫度所控制。
表面動力學控制:反應速率受氣體分子在鍍層表面的吸附、擴散化學反應與脫附,通常低溫低壓下的化學氣相沉積系統中之操作乃屬於此種之控制機構。
質量傳送控制:通常於表面反應速率而質傳困難之狀態下發生,於高溫高壓時有可能為此種控制機構。
成核控制:當過飽和度太低,成核不易發生,此時沉積速率乃為此所控制。
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